首页 关于我们 新闻资讯 产品中心 服务支持 人力资源 联系我们
 
产品中心
产品概要
RF芯片
一代系列
-HX8110
二代系列
-HX8212
-HX8211
RFIC射频衍生产品
-LNA
数字基带处理芯片
一代系列
-HX8120
二代系列
-HX8221
GPS单芯片
HX8231
IPCore
HX8251
-IPCoreHX8251
模块系列
产品方案
PND GPS-HX5128
-HX5128
CMMB GPS-HX5134
-HX5134
 
  首页 >> 产品中心 >> RF芯片 >> 二代系列  
产品介绍

        华迅二代射频芯片系列是适用于GPS L1 /北斗二代B1 /Galileo E1卫星导航 接收的射频芯片。芯片采用CMOS工艺,设计极尽优化,具有极高的集成度,可以满足终端产品对低成本、高性能的全面要求。

  •   支持多模导航终端系统

               HX8211/HX8212内部集成的VCO和小数分频锁相环技术可连续 支持10M~50M参考频率,覆盖1.1-1.7Ghz的频点;支持GPS L1、北斗二代 B1、和Galileo E1等导航系统的所有频点,从而可以应用于双模导航或多模导航系 统。

  •  高集成度大大优化了外围设计方案

              片内集成RFA, Mixer, IF Filter, AGC, ADC, VCO, Synthesizer, LDO电路和模拟基带电路, 集成RTC振荡器;无需外部中频滤波和环路滤波器,从而已经达到GPS射频芯片的最高集成度。
 

  •   EMI免疫力强

              片内对EMI干扰问题作了特殊的处理,使得芯片应用于强电磁干扰环 境时具有良好的免疫力。

  •   低功耗设计

               采用新颖的低功耗设计方法,进一步降低了芯片级和整体系 统的功耗,满足了对低功耗要求非常严格的手持终端或手机中的应用需求。

  •  CMOS工艺

               制造工艺上,采用低成本的CMOS工艺设计。




 HX8211主要性能指标

覆盖导航系统频点

覆盖 GPS L1、北斗二代B1、和Galileo E1

集成度

RFA, Mixer, IF Filter, AGC, ADC, VCO, Synthesizer,集成LDO电路和模拟基带电 路, RTC振荡器

镜像抑制比

>30dB

AGC增益控制范围

>50dB

参考频率

10M~50M

噪声系数

6.5 dB

接口控制

SPI

供电电压

2.2V ~ 4.2V

功耗

12mA

工艺

CMOS

封装

24-Pin QFN24A (4mm×4mm)

工作温度

-40°C~ +85°C


2
3
  Home About News Recruitment Content us © 2009 HuaXun Miceleronice lnc 陕ICP备06007492号
Made In Allwww<易网>