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产品介绍

        华迅二代射频芯片HX8212为开发者提供了更高集成度,高性价比的设计方案,它在HX8211基础上更进一步集成了两级LNA,可以满足终端产品对低成本、高性能的全面要求。

  •   支持多模导航终端系统

               HX8211/HX8212内部集成的VCO和小数分频锁相环技术可连续支持10M~50M参考频率,覆盖1.1-1.7Ghz的频点;支持GPS L1、北斗二代 B1、和Galileo E1等导航系统的所有频点,从而可以应用于双模导航或多模导航系统。

  •  高集成度大大优化了外围设计方案

              片内集成LNA, RFA, Mixer, IF Filter, AGC, ADC, VCO, Synthesizer,LDO电路和模拟基带电路, 集成RTC振荡器;无需外部中频滤波和环路滤波器,从而已经达到GPS射频芯片的最高集成度。
 

  •   EMI免疫力强

              片内对EMI干扰问题作了特殊的处理,使得芯片应用于强电磁干扰环境时具有良好的免疫力。

  •   低功耗设计

               采用新颖的低功耗设计方法,进一步降低了芯片级和整体系统的功耗,满足了对低功耗要求非常严格的手持终端或手机中的应用需求。

  •  CMOS工艺

               制造工艺上,采用低成本的CMOS工艺设计。




 HX8212主要性能指标

 

覆盖导航系统频点

覆盖 GPS L1、北斗二代B1 Galileo E1

集成度

LNA, RFA, Mixer, IF Filter, AGC, ADC, VCO, Synthesizer; 集成LDO电路和模拟基带电路

镜像抑制比

>30dB

AGC增益控制范围

>50dB

参考频率

10M~50M

噪声系数

2.0 dB

接口控制

SPI

供电电压

2.2V ~ 4.2V

功耗

15mA

工艺

CMOS

封装

24-Pin QFN24A (4mm×4mm)

工作温度

-40°C ~+85°C

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